شارژ بورد های CBO. از آنجا که احتمالاً غیرممکن خواهد بود ، راه حلهای مقاوم در برابر شارژ مورد نیاز است. یک رویکرد اول شامل اضافه شدن افزونه به طرح مدار به منظور با تغییر شکل ، دروازه های معیوب را جایگزین کنید [9]. این فقط در صورتی ارزشمند است که a مقدار معقول لوازم یدکی مورد نیاز است و اگر سربار منطقه بیش از حد نباشد بزرگ راه حل دیگر متعادل سازی تأثیر جبران انگلی است
اتهامات با اتهامات مخالف ذخیره شده در نزدیکی جزیره SET این مفهوم در مورد SET که ساختارهای نانو در آن وجود داشته است نشان داده شده است تعبیه شده [10-12]. دستگاه بدست آمده ادغام یک SET و یک Non است عملکرد حافظه فرار علاوه بر این ، می توان یک حلقه بازخورد را به به طور خودکار مرحله CBO را کنترل کنید [13]. حلقه بسته شده است تا تنظیم شود مقدار شارژ در گره حافظه ، سپس برای استفاده از باز می شود دستگاه برنامه های بالقوه دیگری نیز در مورد امکان تنظیم و مرحله CBO را بخاطر بسپارید. اولین نمونه تظاهرات یک دروازه ترکیبی SET-MOSFET که می تواند به صورت مع یا برنامه ریزی شود غیر مع [11]. این ویژگی به لطف یک فعال SET بدست آمده استدستگاهی که می تواند مثبت یا منفی کار کند منطقه رسانایی ، بسته به میزان شارژ ذخیره شده در ساختار نانو در نزدیکی در این حالت ، SET بسیار نازک ساخته شده است
فیلم SOI موج دار که در آن یک کانال نفوذ باریک منبع تخلیه و جیب الکترون که به عنوان گره حافظه کار می کند می تواند به طور طبیعی برای یک تشکیل شود دامنه تعصب در دروازه هیبریدی ، MOSFET فقط به عنوان بار استفاده می شد. از آنجا که نوسان ولتاژ خروجی فقط 10 میلی ولت بود ، یک بافر خروجی بوده است اجرا شده تکرارپذیری ساختار واضح نیست ، اما RT عملكرد و جيره جريان اوج به دره (PVCR) تا 102 بود به دست آمده. مهمترین مفهوم منطق قابل برنامه ریزی است با دستگاه های مبتنی بر SET امکان پذیر است ، زیرا دارای پتانسیل بالایی برای کم مصرف استو تراکم بسته بندی بالا طراحی آرایه منطقی قابل برنامه ریزی SET(PLA) نیز توسط K گزارش شده است .
توجه به این نکته مهم است که بسیاری از توابع دیگر را می توان با آنها طراحی کرد دستگاه های چند الکترون ، با بهره گیری از ویژگی های خاص خود. بخصوص، چندین ساختار حافظه که نویدبخش مصرف کم انرژی هستند گزارش شده اند [14-17]. برای مدارهای عصبی خوشه ای ، پیشنهاد شده است
برای ترکیب دستگاه های NVM MOSFET و مدار تک الکترون بر اساس آرایه های دروازه شناور multinanodot [18]. همچنین ، برخی از برنامه های آنالوگ و دستگاهها مورد مطالعه قرار گرفته اند ، مانند CCD [8] ، ADC [19] ، اندازه گیری [20] و NEMS [21]. با این حال ، اگرچه برخی از آنها نشان داده شده است ، اما بیشتر آنها هنوز در اثبات سطح مفهوم هستند .
برای ساخت SET ها ، هر نوع ماده رسانایی می تواند باشد استفاده شده. در حالی که تحقیقات اولیه در مورد مدار فلزی SET [2] انجام شده استتظاهرات عمدتا در سیلی [8-13] برای انجام می شود با استفاده از ماسفت و از سرمایه گذاری کلان در فناوری سیلی بهره مند شوید.
با این حال ، استفاده از مولکول ها برای کاربردهای واقعی می تواند سودمند باشد به دلیل نیاز اندازه که قبلاً بحث شد و به دلیل تولید مجدد ساختارهای در مقیاس نانو بسیار چالش برانگیز است. علاوه بر این ظرفیت بار مدارها باید برای مصرف برق بسیار کم باشد ملاحظات سرعت ، که به معنی اتصال کوتاه و باریک است.
امیدوار کننده ترین راه برای دستیابی به آن ، رویکرد از پایین به بالا است که به طور طبیعی استفاده می شود ساختارهای کوچک یا روش های مونتاژ خود تشکیل داده است. بهترین مثال این است نانولوله کربنی (CNT) که می تواند برای ساخت FET [22-23] ، SET استفاده شود [24] ، [25] و حتی آرایه های حافظه غیر فرار را بهم متصل می کند [26].
CNT استوانه ای طولانی از اتمهای کربن است که از ورقهای نورد شده تشکیل شده است گرافیت برای CNT Single Wall قطر به اندازه 1-5 نانومتر است. بسته به دستکاری آنها ، آنها مواد نیمه هادی یا فلزی هستند. تحرک آنها بسیار بالاتر از سیلی و بالستیک است حمل و نقل برای طول های کمتر از چند صدها نانومتر نشان داده شده است ، اما خصوصیات زیر آستانه CNFET بهتر از آن نیست ماسفت در سراسر جهان ، چندین تیم در حال تحقیق در مورد
رشد انتخابی یا رسوب CNT که دارای دستکاری مناسب باشد و در ارزیابی CNFET به عنوان کاندیدای بالقوه برای جایگزینی ماسفت در آینده است. برای برنامه های کم مصرف ، به لطف آنها ویژگی های حمل و نقل عالی [22] ، باید بتوان دروازه را کاهش داد overdrive و VDD ، در حالی که مشخصات ITRS را برآورده می کنند [1]. انواع مختلفی از مولکول ها نیز در حال حاضر برای ساخت آنها مورد تحقیق قرار گرفته اند مدارها و قطعات الکترونیکی در مقیاس نانومتر ، اما یک مولکول واحد ترانزیستور هنوز بدست نیامده است. تا به امروز ، یکی از پیشرفته تریندستاورد یک ماتریس متقاطع 64 سلول 1μm2 است که توسط آزمایشگاه های HP ساخته شده است [27]که در آن واحدهای سوئیچینگ بسته ای از مولکول های روتاکسان هستند. عملیاتاین مولکول ها هنوز مشخص نیست و سازوکارهای دیگر مانند تشکیل هستند
رشته های کوچک در سراسر شکاف مولکول بین الکترودها می تواند باشدسوئیچینگ را توضیح دهید [28]. با این حال ، در دراز مدت ، این موضوع تحقیقاتی است پتانسیل زیادی برای چگالی بالا ، هزینه کم و احتمالاً قدرت فوق العاده کم دارد الکترونیک دستگاه تک مولکولی واقعی به اتصالات در مقیاس مشابهی احتیاج دارد.
این امر همچنین برای کاهش ظرفیت های انگلی و قدرت ضروری است مصرف. از آنجا که وضوح لازم بسیار فراتر از حد امکان است ابزارهای سنگی ، از جمله NGL ، راه حل از پایین به دست خواهد آمد رویکرد. به عنوان مثال ، تحقق نانوسیم Pt توسط Caltech است شبکه ای با عرض و گام 8 نانومتر و 16 نانومتر [29]. زیست شناسی همچنین می تواند برای مونتاژ مدارهای نانو به کمک خود بیاید [30]. آ رویکرد بسیار متفاوتی ، همچنین کاهش کار دشوار مقیاس نانو الگو سازی ، مفهوم نانو سلول های خود مونتاژ شده است که توسط J. Tour پیشنهاد شده است [31] این نانوسل ها آرایه های بی نظمی از جزایر فلزی هستند با مولکول ها در ارتباط است و از طریق ورودی / خروجی فلزی قابل دسترسی است منجر می شود. توابع نوع سوئیچینگ مشاهده شده است ، اما مانند کار در HP [27] ، ایجاد و انحلال رشته های فلزی احتمالاً است مسئول رفتار. در واقع ، رفتار الکتریکی فعال است
مولکول ها به شدت تحت تأثیر الکترودهای اطراف و سایر مواد قرار دارند مواد ، که تفاوت بین فناوری نانو مولکولی و شیمی فاز یا فاز محلول برای دستگاه های CNT و همچنین برای نانو MOSFET ولتاژ تغذیه کاهش به تأثیر نشت زیر آستانه بر میزان استاتیک بستگی دارد قدرت ، منجر به تجارت با سرعت مدارها می شود. برای SET ، شیب زیاد سوئیچینگ خاموش بهتر نیست ، اما افزایش می یابد عملکرد و عملکرد کم شارژ. با این حال ، مسائل مهمی وجود دارد ،
به خصوص در مورد حساسیت برای جبران بارها و ساخت مقیاس نانو ساختارهایی با سطح تکرارپذیری کافی ، که به تعداد زیادی نیاز دارند کار کردن اگرچه هنوز مشخص نیست که آیا آنها می توانند VDD پایین تری را به دست آورند ، اما این موارد وجود دارد
نامزدهای دیگر ، مانند دیودهای تونل زنی تشدید (RTD). عملکرد آنها بر اساس انتقال الکترون از طریق سطح انرژی گسسته در سد مضاعف است ساختارهای چاه کوانتومی ، منجر به وجود یک دیفرانسیل منفی می شود
مقاومت. این به معنی ساخت مواد مناسب و عالی است کنترل هندسه ، از آنجا که ویژگی های خروجی بسیار زیاد است حساس به ابعاد یک رویکرد امیدوار کننده ، اجرای RTD در امتداد نانوسیم های نیمه هادی [31]. آینده نگر نیز وجود دارد مطالعات برای یک نسخه مولکولی و ساختارهای محاصره محاصره کولن - سایپرز ، باشگاه دانش و اثرات طنین انداز [32]. یکی از مهمترین ویژگیهای دستگاههای نانو ، به ویژه برای مولکولی ، اندازه آنها است. این امکان کاهش قدرت را فراهم می کند
مصرف با پردازش موازی. به عنوان مثال ، دو بلوک از را در نظر بگیرید دستگاه های مولکولی با ظرفیت کم همان وظیفه یک بلوک را انجام می دهند دستگاه های معمولی ، اما در نیمی از فرکانس ساعت. نگات محصول fc بدون تغییر ، معادله 1 نشان می دهد که مصرف برق مستقیم است مربوط به محصول C.V [2] ، انرژی سوئیچینگ دروازه است که می تواند باشد به لطف ظرفیت های پایین تر و به احتمال زیاد به شدت کاهش می یابد
دستگاههایی با جریان روشن کمتر ، زیرا fc در این حالت به 2 تقسیم می شود. با فراتر رفتن ، اتومات های سلولی نقطه کوانتومی (QCA) جذاب هستند رویکرد ، در عین حال حدس و گمان ، برای کاهش مصرف برق ، از آنجا که وجود دارد بدون جریان جریان بلکه فقط فعل و انفعالات کولن است [33]. اصل این است که اطلاعات باینری را با پیکربندی بار در الکترواستاتیک کدگذاری کنیدسلولهای جفت شده ای که در آنها دو الکترون اضافی وجود دارد. نشان داده شده است که الف فیلد ساعت برای کنترل جهت انتشار اطلاعات مورد نیاز است در امتداد سلول ها و برای رت این ساعت همچنین می تواند برای یک مورد استفاده شود
سوئیچینگ شبه آدیاباتیک ، منجر به مصرف بسیار کم انرژی می شود. به تاریخ ، تظاهرات تجربی در دمای پایین انجام می شود ساختارهای فلزی ، اما پیاده سازی های مولکولی در حال بررسی است .
آموزش مهندسی برق مورد ,نانو ,تواند ,دستگاه ,مصرف ,استفاده ,وجود دارد ,نشان داده ,برای ساخت ,تواند برای ,مورد نیاز منبع
درباره این سایت